Caidao e tecnologia nacional de semicondutores de 3ª geração. Centro de Inovação assinou o acordo de cooperação estratégica da AFM

'Desenvolver vigorosamente o semicondutor de terceira geração' é a principal política industrial nacional desde o 12º Plano Quinquenal '. Da pesquisa científica à industrialização, o estado investiu enormes recursos financeiros para promover o desenvolvimento da indústria de semicondutores de terceira geração da China e a substituição de importações da cadeia industrial. Atualmente, em comparação com o nível técnico da indústria em geral e do Japão e dos Estados Unidos, a lacuna está diminuindo gradualmente, que é o campo mais promissor a ser alcançado.

O semicondutor de terceira geração a montante da cadeia industrial —— o campo material não é pior que o estrangeiro, e alguns até melhor que eles. No mercado a jusante da cadeia industrial, a nossa procura interna é a maior. O que nos falta é o elo intermediário de produção e manufatura. Assim que o elo intermediário acompanhar o equipamento e a tecnologia, formaremos verdadeiramente a capacidade de localização, otimização e iteração dos níveis superior, médio e inferior da indústria, e o desenvolvimento em breve ultrapassará os países estrangeiros.

A terceira geração do instituto de pesquisa de semicondutores na província de Jiangsu em março de 2021, o Ministério da Ciência e Tecnologia aprovou a construção 'nacional terceira geração do centro de inovação de tecnologia de semicondutores', tem como objetivo se concentrar na terceira geração de tecnologia de núcleo chave da cadeia da indústria de semicondutores, através da construção de produção com integração da plataforma de serviço público, construir a terceira geração de equipamentos de núcleo de semicondutores verificação da indústria alternativa doméstica, para a terceira geração de poder de desenvolvimento da indústria de semicondutores.

(Figura do Instituto de Pesquisa)

O microscópio de força atômica é um equipamento de detecção essencial na fabricação de semicondutores de terceira geração, porque a rugosidade da superfície do wafer semicondutor composto é de 0,3-0,5 nm, apenas o microscópio de força atômica pode atender aos requisitos de precisão de detecção nesta faixa.

Caidao Precision assinou uma cooperação estratégica com Jiangsu Third Generation Semiconductor Research Institute Co., LTD. Os equipamentos de microscópio de força atômica estão incluídos no sistema de verificação da terceira geração de equipamentos nacionais semicondutores promovido pelo Instituto, e os indicadores de desempenho são constantemente otimizados para atender às necessidades de testes da terceira geração da indústria de semicondutores.

Esta cooperação estratégica e o serviço de verificação industrial dos equipamentos nacionais certamente ajudarão a precisão da Caidao a melhorar os diversos desempenhos do microscópio de força atômica e acelerar a velocidade de entrada no serviço da linha de produção de semicondutores.

(Diagrama do produto do microscópio de força atômica )